机译:不同方向的4h-sic衬底上衬底表面处理对Lp Movpe Gan外延的影响
机译:4H-SiC衬底乳斑对AlGaN / GaN异质结构外延和微观结构的影响
机译:使用四氟硅烷(SiF_4)在氢气环境中进行SiC外延制备4H-SiC衬底的气相表面(蚀刻)
机译:氢化物生长的GaN-晶格匹配的氧化物和硅衬底上的金属有机气相外延(H-MOVPE)
机译:AlN,4H-SiC,3C-SiC和ZrB2衬底上磷化硼的外延。
机译:通过分子束外延在Si(111)衬底上生长GaN纳米壁网络
机译:衬底表面制备对不同取向4H-SiC衬底上LP MOVPE GaN外延的影响